氮化鋁靶材，共價(jià)鍵化合物，是原子晶體，屬類(lèi)金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無(wú)毒，呈白色或灰白色

氮化硅是一種重要的結構陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì )碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機部件的受熱面，不僅可以提高柴油機質(zhì)量，節省燃料，而且能夠提高熱效率。我國及美國、日本等國家都已研制出了這種柴油機。

對于GaN材料，長(cháng)期以來(lái)由于襯底單晶沒(méi)有解決，異質(zhì)外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實(shí)用化。1994年日亞化學(xué)所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個(gè)采用寬禁帶氮化物材料開(kāi)發(fā)LED的 7年規劃，其目標是到2005年研制密封在熒光管內、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED，這種白色LED的功耗僅為的1/8，是熒光燈的1/2, 其壽命是傳統熒光燈的50倍～100倍。這GaN材料的研制工作已取相當成功，并進(jìn)入了實(shí)用化階段

因為GaN是寬禁帶半導體，極性太大，則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，這是GaN器件制造中的一個(gè)難題，故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?，F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結，首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些，然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸，但這種工藝較復雜?？傊?，歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。
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