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東莞市鼎偉新材料有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn):鎳釩合金靶、高純鉻靶、鈦鋁靶、鉻鋁靶、鎳鉻合金靶、鎢鈦合金靶材等;公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當中,以較高的性?xún)r(jià)比,成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品,頗受用戶(hù)好評。

武漢氮化鋁靶材價(jià)格 氮化鉭靶材
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產(chǎn)品描述

因為GaN是寬禁帶半導體,極性太大,則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸,這是GaN器件制造中的一個(gè)難題,故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?,F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結,首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些,然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸,但這種工藝較復雜??傊?,歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。
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利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度,膨脹系數小,導熱性好的特性,可以用作高溫結構件熱交換器材料等。
利用氮化鋁陶瓷能耐鐵、鋁等金屬和合金的溶蝕性能,可用作Al、Cu、Ag、Pb等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料
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新型電子器件
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著(zhù) MBE技術(shù)在GaN材料應用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(cháng)技術(shù)的突破,成功地生長(cháng)出了GaN多種異質(zhì)結構。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應晶體管(MESFET)、異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管(HFET)、調制摻雜場(chǎng)效應晶體管(MODFET)等新型器件。調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數,是制作微波器件的優(yōu)先材料;GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底,散熱性能好,有利于器件在大功率條件下工作。
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電學(xué)特性
GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品,都是高補償的。
很多研究小組都從事過(guò)這方面的研究工作,其中中村報道了GaN遷移率數據在室溫和液氮溫度別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s,相應的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3;等離子激活MBE的結果為8×103/cm3、<1017/cm3。
未摻雜載流子濃度可控制在1014~1020/cm3范圍。另外,通過(guò)P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理,已能將摻雜濃度控制在1011~1020/cm3范圍。
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產(chǎn)品推薦

Development, design, production and sales in one of the manufacturing enterprises

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