【制備或來(lái)源】可由鈦和氮在1200℃直接反應制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過(guò)氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900～1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得
氮化鋁靶材，共價(jià)鍵化合物，是原子晶體，屬類(lèi)金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無(wú)毒，呈白色或灰白色
有報告指現今大部分研究都在開(kāi)發(fā)一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎且運行於紫外線(xiàn)的發(fā)光二極管，而光的波長(cháng)為250納米。在2006年5月有報告指一個(gè)無(wú)效率的二極管可發(fā)出波長(cháng)為210納米的光波[1]。以真空紫外線(xiàn)反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長(cháng)為大約200納米的波通過(guò)。但在商業(yè)上實(shí)行時(shí)，需克服不少困難。氮化鋁應用於光電工程，包括在光學(xué)儲存介面及電子基質(zhì)作誘電層，在高的導熱性下作晶片載體，以及作用途
由于氮化鋁壓電效應的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測器。而探測器則會(huì )放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜。
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