氮化鈦（TiN）具有典型的NaCl型結構，屬面心立方點(diǎn)陣，晶格常數a=0.4241nm，其中鈦原子位于面心立方的角頂。TiN是非化學(xué)計量化合物，其穩定的組成范圍為T(mén)iN0.37-TiN1.16，氮的含量可以在一定的范圍內變化而不引起TiN結構的變化。TiN粉末一般呈黃褐色，超細TiN粉末呈黑色，而TiN晶體呈金。TiN熔點(diǎn)為2950℃，密度為5.43-5.44g/cm3，莫氏硬度8-9，抗熱沖擊性好。TiN熔點(diǎn)比大多數過(guò)渡金屬氮化物的熔點(diǎn)高，而密度卻比大多數金屬氮化物低，因此是一種很有特色的耐熱材料。TiN的晶體結構與TiC的晶體結構相似，只是將其中的C原子置換成N原子

AlN可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成

有報告指現今大部分研究都在開(kāi)發(fā)一種以半導體（氮化鎵或合金鋁氮化鎵）為基礎且運行於紫外線(xiàn)的發(fā)光二極管，而光的波長(cháng)為250納米。在2006年5月有報告指一個(gè)無(wú)效率的二極管可發(fā)出波長(cháng)為210納米的光波[1]。以真空紫外線(xiàn)反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長(cháng)為大約200納米的波通過(guò)。但在商業(yè)上實(shí)行時(shí)，需克服不少困難。氮化鋁應用於光電工程，包括在光學(xué)儲存介面及電子基質(zhì)作誘電層，在高的導熱性下作晶片載體，以及作用途

【制備或來(lái)源】可由鈦和氮在1200℃直接反應制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過(guò)氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900～1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得

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