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東莞市鼎偉新材料有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn):鎳釩合金靶、高純鉻靶、鈦鋁靶、鉻鋁靶、鎳鉻合金靶、鎢鈦合金靶材等;公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當中,以較高的性?xún)r(jià)比,成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品,頗受用戶(hù)好評。

天津氮化鋁靶材廠(chǎng)家 氮化鉭靶材
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產(chǎn)品描述

氮化硅用做高級耐火材料,如與sic結合作SI3N4-SIC耐火材料用于高爐爐身等部位;如與BN結合作SI3N4-BN材料,用于水平連鑄分離環(huán)。SI3N4-BN系水平連鑄分離環(huán)是一種細結構陶瓷材料,結構均勻,具有高的機械強度。耐熱沖擊性好,又不會(huì )被鋼液濕潤,符合連鑄的工藝要求
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電學(xué)特性
GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品,都是高補償的。
很多研究小組都從事過(guò)這方面的研究工作,其中中村報道了GaN遷移率數據在室溫和液氮溫度別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s,相應的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3;等離子激活MBE的結果為8×103/cm3、<1017/cm3。
未摻雜載流子濃度可控制在1014~1020/cm3范圍。另外,通過(guò)P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理,已能將摻雜濃度控制在1011~1020/cm3范圍。
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TiN有著(zhù)誘人的金、熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩定性好、與金屬的潤濕小的結構材料、并具有較高的導電性和超導性,可應用于高溫結構材料和超導材料
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AlN可穩定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料??谷廴诮饘偾治g的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?;蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成,產(chǎn)物為灰白色粉末?;蚵然X與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成

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產(chǎn)品推薦

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